中新網(wǎng)12月11日電 臺(tái)積電11日在美國華盛頓特區(qū)舉行的國際電子組件大會(huì) (IEDM)中發(fā)表論文，宣布開發(fā)出同時(shí)支持模擬及數(shù)字集成電路的32納米制程技術(shù)，并成功試產(chǎn)出32納米2Mb靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)，且已通過功能試驗(yàn)。
據(jù)“中央社”報(bào)道，臺(tái)積電表示，成功開發(fā)出32納米制程技術(shù)，象征公司先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)邁向另一個(gè)新里程碑。
臺(tái)積電指出，開發(fā)出的低耗電量32納米制程技術(shù)，具備低待機(jī)耗電量晶體管、模擬及射頻功能、銅導(dǎo)線以及低介電系數(shù)材料導(dǎo)線等特色，適合用于生產(chǎn)可攜式產(chǎn)品所需的系統(tǒng)單晶片。
因應(yīng)客戶不同市場需求，臺(tái)積電未來將提供包括數(shù)字、模擬、射頻以及高密度記憶體等多樣的32納米制程。
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